תודה שביקרת ב-Nature.com.לגרסת הדפדפן שבה אתה משתמש יש תמיכת CSS מוגבלת.לקבלת החוויה הטובה ביותר, אנו ממליצים להשתמש בדפדפן מעודכן (או להשבית את מצב תאימות ב-Internet Explorer).בינתיים, כדי להבטיח תמיכה מתמשכת, נעבד את האתר ללא סגנונות ו-JavaScript.
קרוסלה המציגה שלוש שקופיות בו זמנית.השתמש בלחצנים 'הקודם' וה'הבא' כדי לעבור בין שלוש שקופיות בכל פעם, או השתמש בלחצני המחוון שבקצה כדי לעבור בין שלוש שקופיות בכל פעם.
העלות הגבוהה יחסית של סוללות חיזור מלאות ונדיום (VRFB) מגבילה את השימוש הנרחב בהן.נדרש שיפור הקינטיקה של תגובות אלקטרוכימיות כדי להגדיל את ההספק הספציפי ויעילות האנרגיה של ה-VRFB, ובכך להפחית את עלות ה-kWh של ה-VRBB.בעבודה זו, ננו-חלקיקי תחמוצת טונגסטן (HWO) מסונתזים הידרותרמית, C76 ו-C76/HWO, הופקדו על אלקטרודות בד פחמן ונבדקו כזרזים חשמליים לתגובת החיזור VO2+/VO2+.מיקרוסקופיה סורקת פליטת שדה (FESEM), ספקטרוסקופיה של קרני רנטגן מפזרת אנרגיה (EDX), מיקרוסקופיה אלקטרונית שידור ברזולוציה גבוהה (HR-TEM), עקיפה של קרני רנטגן (XRD), ספקטרוסקופיה של פוטואלקטרון רנטגן (XPS), ספקטרוסקופיה של טרנספורמציה פורייה אינפרא אדום (FTIR) ומדידות זווית מגע.נמצא שתוספת של C76 פולרנים ל-HWO יכולה לשפר את קינטיקה של האלקטרודות על ידי הגדלת מוליכות חשמלית ומתן קבוצות פונקציונליות מחומצנות על פני השטח שלה, ובכך לקדם את תגובת החיזור VO2+/VO2+.המרוכב HWO/C76 (50% Wt C76) הוכיח את עצמו כבחירה הטובה ביותר לתגובת VO2+/VO2+ עם ΔEp של 176 mV, בעוד שבד פחמן לא מטופל (UCC) היה 365 mV.בנוסף, המרוכב HWO/C76 הראה השפעה מעכבת משמעותית על תגובת התפתחות הכלור הטפילית עקב הקבוצה התפקודית W-OH.
פעילות אנושית אינטנסיבית והמהפכה התעשייתית המהירה הביאו לביקוש גבוה ללא מעצורים לחשמל, שגדל בכ-3% בשנה1.במשך עשרות שנים, השימוש הנרחב בדלקים מאובנים כמקור אנרגיה הוביל לפליטת גזי חממה התורמים להתחממות כדור הארץ, זיהום מים ואוויר, ומאיים על מערכות אקולוגיות שלמות.כתוצאה מכך, חדירת אנרגיית הרוח והשמש הנקייה והמתחדשת צפויה להגיע ל-75% מסך החשמל עד שנת 20501. אולם כאשר חלקו של החשמל ממקורות מתחדשים עולה על 20% מסך ייצור החשמל, הרשת הופכת ללא יציבה.
מבין כל מערכות אגירת האנרגיה כגון סוללת זרימת חיזור ונדיום ההיברידית2, סוללת זרימת החיזור המלאה ונדיום (VRFB) התפתחה בצורה המהירה ביותר בשל יתרונותיה הרבים ונחשבת לפתרון הטוב ביותר לאגירת אנרגיה לטווח ארוך (כ-30 שנה).) אפשרויות בשילוב אנרגיה מתחדשת4.זה נובע מהפרדה בין כוח וצפיפות אנרגיה, תגובה מהירה, חיי שירות ארוכים ועלות שנתית נמוכה יחסית של 65$ לקוט"ש לעומת 93-140$ לקוט"ש לסוללות Li-ion וחומצה עופרת ו-279-420 דולר אמריקאי לקוט"ש.סוללה בהתאמה 4.
עם זאת, המסחור בקנה מידה גדול שלהם עדיין מוגבל על ידי עלויות ההון הגבוהות יחסית של המערכת, בעיקר בשל ערימות תאים4,5.לפיכך, שיפור ביצועי הערימה על ידי הגדלת הקינטיקה של שתי התגובות של חצי אלמנט יכול להפחית את גודל הערימה ובכך להפחית את העלות.לכן, יש צורך בהעברת אלקטרונים מהירה אל משטח האלקטרודה, התלויה בעיצוב, בהרכב ובמבנה של האלקטרודה ודורשת אופטימיזציה קפדנית6.למרות היציבות הכימית והאלקטרוכימית הטובה והמוליכות החשמלית הטובה של אלקטרודות פחמן, הקינטיקה הלא מטופלת שלהן איטית עקב היעדר קבוצות פונקציונליות חמצן והידרופיליות7,8.לכן, אלקטרו-זרזים שונים משולבים עם אלקטרודות מבוססות פחמן, במיוחד ננו-מבני פחמן ותחמוצות מתכת, כדי לשפר את הקינטיקה של שתי האלקטרודות, ובכך להגדיל את הקינטיקה של אלקטרודת VRFB.
בנוסף לעבודה הקודמת שלנו על C76, דיווחנו לראשונה על הפעילות האלקטרוקטליטית המצוינת של פולרן זה עבור VO2+/VO2+, העברת מטען, בהשוואה לבד פחמן שטופל בחום ולא מטופל.ההתנגדות מופחתת ב-99.5% וב-97%.הביצועים הקטליטיים של חומרי הפחמן לתגובת VO2+/VO2+ בהשוואה ל-C76 מוצגים בטבלה S1.מצד שני, תחמוצות מתכות רבות כגון CeO225, ZrO226, MoO327, NiO28, SnO229, Cr2O330 ו-WO331, 32, 33, 34, 35, 36, 37 היו בשימוש בגלל יכולת ההרטבה המוגברת שלהם ותפקודי החמצן הרבים שלהם., 38. קבוצה.הפעילות הקטליטית של תחמוצות מתכות אלה בתגובת VO2+/VO2+ מוצגת בטבלה S2.WO3 שימש במספר לא מבוטל של עבודות בשל עלותו הנמוכה, היציבות הגבוהה במדיה חומצית ופעילות קטליטית גבוהה31,32,33,34,35,36,37,38.עם זאת, השיפור בקינטיקה הקתודית עקב WO3 אינו משמעותי.כדי לשפר את המוליכות של WO3, נבדקה ההשפעה של שימוש בתחמוצת טונגסטן מופחתת (W18O49) על פעילות קתודית38.תחמוצת טונגסטן הידרציה (HWO) מעולם לא נבדקה ביישומי VRFB, למרות שהיא מציגה פעילות מוגברת ביישומי קבלי-על עקב דיפוזיה מהירה יותר של קטונים בהשוואה ל-WOx39,40 נטול מים.סוללת זרימת ונדיום חיזור מהדור השלישי משתמשת באלקטרוליט חומצה מעורב המורכב מ-HCl ו-H2SO4 כדי לשפר את ביצועי הסוללה ולשפר את המסיסות והיציבות של יוני ונדיום באלקטרוליט.עם זאת, תגובת התפתחות הכלור הטפילית הפכה לאחד החסרונות של הדור השלישי, ולכן החיפוש אחר דרכים לעכב את תגובת הערכת הכלור הפך למוקד של מספר קבוצות מחקר.
כאן בוצעו מבחני תגובה של VO2+/VO2+ על חומרים מרוכבים של HWO/C76 שהופקדו על אלקטרודות בד פחמן על מנת למצוא איזון בין המוליכות החשמלית של החומרים המרוכבים לקינטיקה של החיזור של משטח האלקטרודה תוך דיכוי התפתחות הכלור הטפילית.תגובה (CER).חלקיקי ננו-חלקיקים של תחמוצת טונגסטן (HWO) סונתזו בשיטה הידרותרמית פשוטה.ניסויים בוצעו באלקטרוליט חומצה מעורב (H2SO4/HCl) כדי לדמות את הדור השלישי של VRFB (G3) לצורך מעשי ולחקור את ההשפעה של HWO על תגובת התפתחות הכלור הטפילית.
ונדיום(IV) סולפט הידרט (VOSO4, 99.9%, Alfa-Aeser), חומצה גופרתית (H2SO4), חומצה הידרוכלורית (HCl), דימתילפורמאמיד (DMF, Sigma-Aldrich), פוליווינילידן פלואוריד (PVDF, Sigma)-Aldrich), נתרן Tungsten oxide dicarbonic, Sigma 99Aldrich הידרופילי, ו-Sigma 2 במחקר זה נעשה שימוש בבד ELAT (חנות תאי דלק).
תחמוצת טונגסטן מודרת (HWO) הוכנה על ידי תגובה הידרותרמית 43 שבה 2 גרם של מלח Na2WO4 הומסו ב-12 מ"ל של H2O כדי לתת תמיסה חסרת צבע, ואז 12 מ"ל של 2 M HCl הוספו טיפה כדי לתת תרחיף צהוב בהיר.התרחיץ הוכנס לאוטוקלאב נירוסטה מצופה טפלון ונשמר בתנור ב-180 מעלות צלזיוס למשך 3 שעות לתגובה הידרותרמית.השאריות נאספו על ידי סינון, נשטפו 3 פעמים עם אתנול ומים, יובשו בתנור ב-70 מעלות צלזיוס למשך 3 שעות בערך, ולאחר מכן התחלקו כדי לתת אבקת HWO כחולה-אפורה.
אלקטרודות בד הפחמן שהושגו (הלא מטופלות) שימשו כפי שהן או טופלו בחום בתנור צינורות ב-450 מעלות צלזיוס באוויר עם קצב חימום של 15 מעלות צלזיוס לדקה למשך 10 שעות כדי להשיג CCs מטופלים (TCC).כפי שתואר במאמר הקודם24.UCC ו- TCC נחתכו לאלקטרודות ברוחב של כ-1.5 ס"מ ובאורך 7 ס"מ.תרחיפים של C76, HWO, HWO-10% C76, HWO-30% C76 ו-HWO-50% C76 הוכנו על ידי הוספת 20 מ"ג .% (~2.22 מ"ג) של מקשר PVDF ל~1 מ"ל DMF ועברו צלילים למשך שעה כדי לשפר את האחידות.2 מ"ג של חומרים מרוכבים C76, HWO ו-HWO-C76 הוחלו ברצף על שטח אלקטרודה פעיל UCC של כ-1.5 סמ"ר.כל הזרזים הועמסו על אלקטרודות UCC ו- TCC שימש למטרות השוואה בלבד, שכן העבודה הקודמת שלנו הראתה שלא נדרש טיפול בחום24.שקיעת הרושם הושגה על ידי הברשה של 100 μl מהתרחיף (עומס 2 מ"ג) לקבלת אפקט אחיד יותר.לאחר מכן כל האלקטרודות יובשו בתנור ב-60 מעלות צלזיוס למשך הלילה.האלקטרודות נמדדות קדימה ואחורה כדי להבטיח טעינת מלאי מדויקת.על מנת לקבל שטח גיאומטרי מסוים (~1.5 סמ"ר) ולמנוע את עליית האלקטרוליט הונדיום לאלקטרודה עקב האפקט הנימים, הונחה שכבה דקה של פרפין על החומר הפעיל.
מיקרוסקופ אלקטרונים סריקת פליטת שדה (FESEM, Zeiss SEM Ultra 60, 5 kV) שימשה כדי לצפות במורפולוגיה של פני השטח של HWO.ספקטרומטר קרני רנטגן מפזר אנרגיה מצויד ב-Feii8SEM (EDX, Zeiss Inc.) שימש למיפוי אלמנטים של HWO-50%C76 על האלקטרודות של UCC.מיקרוסקופ אלקטרוני שידור ברזולוציה גבוהה (HR-TEM, JOEL JEM-2100) הפועל במתח מואץ של 200 קילו וולט שימש לצילום חלקיקי HWO וטבעות עקיפה ברזולוציה גבוהה יותר.תוכנת Crystallography Toolbox (CrysTBox) משתמשת בפונקציית ringGUI כדי לנתח את דפוס עקיפות הטבעת של HWO ולהשוות את התוצאות עם דפוס ה-XRD.המבנה והגרפיטיזציה של UCC ו-TCC נותחו על ידי דיפרקציית רנטגן (XRD) בקצב סריקה של 2.4°/דקה מ-5° ל-70° עם Cu Kα (λ = 1.54060 Å) באמצעות דיפרקטומטר Panalytical-רנטגן (דגם 3600).XRD הראה את מבנה הגביש והשלב של HWO.תוכנת PANalytical X'Pert HighScore שימשה כדי להתאים את פסגות HWO למפות תחמוצת טונגסטן הזמינות במסד הנתונים45.תוצאות HWO הושוו לתוצאות TEM.ההרכב הכימי והמצב של דגימות ה-HWO נקבעו באמצעות ספקטרוסקופיה פוטואלקטרון-רנטגן (XPS, ESCALAB 250Xi, ThermoScientific).התוכנה CASA-XPS (v 2.3.15) שימשה ל-deconvolution שיא וניתוח נתונים.כדי לקבוע את הקבוצות הפונקציונליות של פני השטח של HWO ו-HWO-50%C76, בוצעו מדידות באמצעות ספקטרוסקופיה של פורייה טרנספורמציה אינפרא אדום (FTIR, ספקטרומטר Perkin Elmer, באמצעות KBr FTIR).התוצאות הושוו לתוצאות XPS.מדידות זווית מגע (KRUSS DSA25) שימשו גם כדי לאפיין את יכולת ההרטבה של האלקטרודות.
עבור כל המדידות האלקטרוכימיות, נעשה שימוש בתחנת עבודה Biologic SP 300.וולטמטריה מחזורית (CV) וספקטרוסקופיה עכבה אלקטרוכימית (EIS) שימשו כדי לחקור את קינטיקה של האלקטרודות של תגובת החיזור VO2+/VO2+ והשפעת דיפוזיה של מגיב (VOSO4(VO2+)) על קצב התגובה.בשתי השיטות נעשה שימוש בתא בעל שלוש אלקטרודות עם ריכוז אלקטרוליטים של 0.1 M VOSO4 (V4+) ב-1 M H2SO4 + 1 M HCl (תערובת של חומצות).כל הנתונים האלקטרוכימיים המוצגים מתוקנים IR.אלקטרודת קלומל רוויה (SCE) וסליל פלטינה (Pt) שימשו כאלקטרודת הייחוס והנגד, בהתאמה.עבור CV, קצבי סריקה (ν) של 5, 20 ו-50 mV/s הוחלו על חלון הפוטנציאל של VO2+/VO2+ עבור (0-1) V לעומת SCE, ולאחר מכן הותאמו ל-SHE לדמות (VSCE = 0.242 V לעומת HSE).כדי לחקור את שימור פעילות האלקטרודות, קורות חיים מחזוריים חוזרים בוצעו ב- ν 5 mV/s עבור UCC, TCC, UCC-C76, UCC-HWO ו-UCC-HWO-50% C76.עבור מדידות EIS, טווח התדרים של תגובת החיזור VO2+/VO2+ היה 0.01-105 הרץ, והפרעת המתח במתח מעגל פתוח (OCV) הייתה 10 mV.כל ניסוי חזר על עצמו 2-3 פעמים כדי להבטיח את עקביות התוצאות.קבועי הקצב ההטרוגניים (k0) התקבלו בשיטת ניקולסון46,47.
תחמוצת טונגסטן מודרכת (HVO) סונתזה בהצלחה בשיטה ההידרותרמית.תמונת SEM באיור.1a מראה שה-HWO שהופקד מורכב מאשכולות של ננו-חלקיקים בגדלים בטווח של 25-50 ננומטר.
תבנית עקיפה של קרני רנטגן של HWO מציגה פסגות (001) ו-(002) ב-~23.5° ו-~47.5°, בהתאמה, האופייניות ל-WO2.63 (W32O84) לא סטוכיומטרי (PDF 077–0810, a = 21.4 .8 Å = β = 21.4 .8 Å, b = β = β = 21.4 .8 Å, b. 90°), המתאים לצבע הכחול השקוף שלהם (איור 1b) 48.49.פסגות אחרות בערך של 20.5°, 27.1°, 28.1°, 30.8°, 35.7°, 36.7° ו- 52.7° הוקצו ל-(140), (620), (350), (720), (740), (560°).) ) ו-(970) מישורי עקיפה אורתוגונליים ל-WO2.63, בהתאמה.באותה שיטה סינתטית השתמשו Songara et al.43 כדי להשיג מוצר לבן, אשר יוחס לנוכחות של WO3(H2O)0.333.עם זאת, בעבודה זו, עקב תנאים שונים, התקבל תוצר כחול-אפור, המעיד על כך ש-WO3(H2O)0.333 (PDF 087-1203, a = 7.3 Å, b = 12.5 Å, c = 7 .7 Å, α = β = γ = 90° של טונגסטן) והצורה המופחתת של טונגסטן.ניתוח חצי כמותי באמצעות תוכנת X'Pert HighScore הראה 26% WO3(H2O)0.333:74% W32O84.מכיוון ש-W32O84 מורכב מ-W6+ ו-W4+ (1.67:1 W6+:W4+), התוכן המשוער של W6+ ו-W4+ הוא כ-72% W6+ ו-28% W4+, בהתאמה.תמונות SEM, ספקטרום XPS של שנייה אחת ברמת הגרעין, תמונות TEM, ספקטרום FTIR וספקטרום ראמאן של חלקיקי C76 הוצגו במאמר הקודם שלנו.לפי Kawada וחב', 50,51 עקיפה בקרני רנטגן של C76 לאחר הסרת טולואן הראתה את המבנה המונוקליני של FCC.
תמונות SEM באיור.2a ו-b מראים כי HWO ו-HWO-50%C76 הופקדו בהצלחה על ובין סיבי הפחמן של האלקטרודה UCC.מפות אלמנטים EDX של טונגסטן, פחמן וחמצן על תמונות SEM באיור.2c מוצגים באיור.2d-f המצביע על כך שהטונגסטן והפחמן מעורבבים באופן שווה (המראה חלוקה דומה) על פני כל משטח האלקטרודה והחומר המרוכב אינו מופקד באופן אחיד בשל אופי שיטת ההשקעה.
תמונות SEM של חלקיקי HWO שהופקדו (א) וחלקיקי HWO-C76 (ב).מיפוי EDX על HWO-C76 שנטען ב-UCC באמצעות השטח בתמונה (ג) מציג את התפלגות טונגסטן (d), פחמן (e) וחמצן (f) בדגימה.
HR-TEM שימש להדמיה בהגדלה גבוהה ומידע קריסטלוגרפי (איור 3).HWO מראה את המורפולוגיה של הננוקוביות כפי שמוצג באיור 3a וברור יותר באיור 3b.על ידי הגדלה של הננוקוביה לצורך עקיפה של אזורים נבחרים, ניתן לדמיין את מבנה הסורג ואת מישורי העקיפה העומדים בחוק Bragg, כפי שמוצג באיור 3c, המאשר את הגבישיות של החומר.באיור 3c מופיע המרחק d 3.3 Å המתאים למישורי העקיפה (022) ו-(620) שנמצאו בשלבי WO3(H2O)0.333 ו-W32O84, בהתאמה43,44,49.זה עולה בקנה אחד עם ניתוח ה-XRD שתואר לעיל (איור 1b) שכן מרחק מישור הסורג שנצפה d (איור 3c) מתאים לשיא ה-XRD החזק ביותר במדגם HWO.טבעות לדוגמה מוצגות גם באיור.3d, כאשר כל טבעת מתאימה למישור נפרד.המטוסים WO3(H2O)0.333 ו-W32O84 בצבע לבן וכחול, בהתאמה, ופסגות ה-XRD התואמות שלהם מוצגות גם באיור 1b.הטבעת הראשונה המוצגת בתרשים הטבעת מתאימה לשיא המסומן הראשון בתבנית הרנטגן של מישור העקיפה (022) או (620).מהטבעות (022) עד (402), ערכי המרווח D הם 3.30, 3.17, 2.38, 1.93 ו-1.69 Å, בהתאם לערכי XRD של 3.30, 3.17, 2, 45, 1.93.ו-1.66 Å, ששווה ל-44, 45, בהתאמה.
(א) תמונת HR-TEM של HWO, (ב) מציגה תמונה מוגדלת.תמונות של מישורי הסורג מוצגים ב-(c), הוספה (c) מציגה תמונה מוגדלת של המישורים וגובה d של 0.33 ננומטר המקביל למישורים (002) ו-(620).(ד) דפוס טבעת HWO המראה מישורים הקשורים ל-WO3(H2O)0.333 (לבן) ו-W32O84 (כחול).
ניתוח XPS בוצע כדי לקבוע את כימיה פני השטח ומצב החמצון של טונגסטן (איורים S1 ו-4).ספקטרום סריקת XPS בטווח הרחב של ה-HWO המסונתז מוצג באיור S1, המצביע על נוכחות של טונגסטן.ספקטרום הסריקה הצרה של XPS של רמות הליבה W 4f ו- O 1s מוצגות באיורים.4a ו-b, בהתאמה.ספקטרום W 4f מתפצל לשתי כפילות ספין-מסלול התואמות לאנרגיות הקישור של מצב החמצון W.ו-W 4f7/2 ב-36.6 ו-34.9 eV אופייניים למצב W4+ של 40, בהתאמה.)0.333.הנתונים המותאמים מראים כי האחוזים האטומיים של W6+ ו-W4+ הם 85% ו-15%, בהתאמה, שהם קרובים לערכים המוערכים מנתוני XRD בהתחשב בהבדלים בין שתי השיטות.שתי השיטות מספקות מידע כמותי עם דיוק נמוך, במיוחד XRD.כמו כן, שתי השיטות הללו מנתחות חלקים שונים של החומר מכיוון ש-XRD היא שיטה בתפזורת בעוד ש-XPS היא שיטת שטח שמתקרבת רק לכמה ננומטרים.ספקטרום O 1s מחולק לשני פסגות ב-533 (22.2%) ו-530.4 eV (77.8%).הראשון מתאים ל-OH, והשני לקשרי חמצן בסריג ב-WO.הנוכחות של קבוצות פונקציונליות OH עולה בקנה אחד עם תכונות ההידרציה של HWO.
ניתוח FTIR בוצע גם על שתי דגימות אלה כדי לבחון את נוכחותן של קבוצות פונקציונליות ומולקולות מים מתואמות במבנה ה-HWO הhydrated.התוצאות מראות שתוצאות דגימת HWO-50% C76 ו-FT-IR HWO נראות דומות עקב נוכחות HWO, אך עוצמת הפסגות שונה עקב כמות הדגימה השונה המשמשת כהכנה לניתוח (איור 5א).) HWO-50% C76 מראה שכל הפסגות, למעט השיא של תחמוצת טונגסטן, קשורות לפולרן 24. מפורט באיור.5a מראה ששתי הדגימות מציגות פס רחב מאוד חזק של ~710/ס"מ המיוחס לתנודות מתיחה של OWO במבנה הסריג של HWO, עם כתף חזקה של ~840/ס"מ המיוחסת ל-WO.עבור תנודות מתיחה, פס חד של כ-1610/ס"מ מיוחס לתנודות כיפוף של OH, בעוד שרצועת ספיגה רחבה של כ-3400/ס"מ מיוחסת לתנודות מתיחה של OH בקבוצות הידרוקסיל43.תוצאות אלה עולות בקנה אחד עם ספקטרום XPS באיורים.4b, שבו קבוצות פונקציונליות WO יכולות לספק אתרים פעילים לתגובת VO2+/VO2+.
ניתוח FTIR של HWO ו-HWO-50% C76 (א), הצביע על קבוצות תפקודיות ומדידות זווית מגע (ב, ג).
קבוצת OH יכולה גם לזרז את תגובת VO2+/VO2+, תוך הגברת ההידרופיליות של האלקטרודה, ובכך לקדם את קצב הדיפוזיה והעברת האלקטרונים.כפי שמוצג, מדגם HWO-50% C76 מציג שיא נוסף עבור C76.ניתן להקצות את הפסגות ב-~2905, 2375, 1705, 1607 ו-1445 cm3 לתנודות המתיחה של CH, O=C=O, C=O, C=C ו-CO, בהתאמה.ידוע היטב שקבוצות החמצן הפונקציונליות C=O ו-CO יכולות לשמש כמרכזים פעילים לתגובות החיזור של ונדיום.כדי לבדוק ולהשוות את יכולת ההרטבה של שתי האלקטרודות, נלקחו מדידות זווית מגע כפי שמוצג באיור 5b,c.אלקטרודת HWO ספגה מיד טיפות מים, מה שמצביע על סופרהידרופיליות עקב קבוצות פונקציונליות OH הזמינות.HWO-50% C76 הוא הידרופובי יותר, עם זווית מגע של כ-135° לאחר 10 שניות.עם זאת, במדידות אלקטרוכימיות, האלקטרודה HWO-50%C76 נרטבה לחלוטין תוך פחות מדקה.מדידות הרטיבות תואמות לתוצאות XPS ו-FTIR, מה שמצביע על כך שיותר קבוצות OH על פני השטח של HWO הופכות אותו יחסית ליותר הידרופילי.
נבדקו תגובות VO2+/VO2+ של ננו-מרוכבים של HWO ו-HWO-C76 והיה צפוי ש-HWO ידכא את התפתחות הכלור בתגובת VO2+/VO2+ בחומצה מעורבת, ו-C76 יזרז עוד יותר את תגובת החיזור הרצויה של VO2+/VO2+.%, 30% ו-50% C76 בהשעיות HWO ו-CCC שהופקדו על אלקטרודות עם עומס כולל של כ-2 mg/cm2.
כפי שמוצג באיור.6, הקינטיקה של תגובת VO2+/VO2+ על פני האלקטרודה נבדקה על ידי CV באלקטרוליט חומצי מעורב.הזרמים מוצגים כ-I/Ipa להשוואה קלה של ΔEp ו-Ipa/Ipc עבור זרזים שונים ישירות על הגרף.נתוני יחידת השטח הנוכחיים מוצגים באיור 2S.על איור.איור 6a מראה כי HWO מגביר מעט את קצב העברת האלקטרונים של תגובת החיזור VO2+/VO2+ על פני האלקטרודה ומדכא את התגובה של התפתחות כלור טפילית.עם זאת, C76 מגביר באופן משמעותי את קצב העברת האלקטרונים ומזרז את תגובת התפתחות הכלור.לכן, תרכובת שנוסחה נכונה של HWO ו-C76 צפויה להיות בעלת הפעילות הטובה ביותר והיכולת הגדולה ביותר לעכב את תגובת התפתחות הכלור.נמצא כי לאחר הגדלת התוכן של C76 השתפרה הפעילות האלקטרוכימית של האלקטרודות, כפי שמעידה על ירידה ב-ΔEp ועלייה ביחס Ipa/Ipc (טבלה S3).זה אושר גם על ידי ערכי RCT שחולצו מהחלקה של Nyquist באיור 6d (טבלה S3), שנמצאו יורדים עם עלייה בתכולת C76.תוצאות אלו תואמות גם למחקר של Li, שבו תוספת של פחמן מזופורי ל-WO3 מזופורי הראתה שיפור בקינטיקה של העברת מטען ב-VO2+/VO2+35.זה מצביע על כך שהתגובה הישירה עשויה להיות תלויה יותר במוליכות האלקטרודה (קשר C=C) 18, 24, 35, 36, 37. ייתכן שזה נובע גם משינוי בגיאומטריית הקואורדינציה בין [VO(H2O)5]2+ ו-[VO2(H2O)4]+, C76 מפחית את אנרגיית היתר של התגובה על ידי הפחתת מתח התגובה.עם זאת, ייתכן שזה לא אפשרי עם אלקטרודות HWO.
(א) התנהגות וולטמטרית מחזורית (ν = 5 mV/s) של תגובת VO2+/VO2+ של UCC ו-HWO-C76 מרוכבים עם יחסי HWO:C76 שונים ב-0.1 M VOSO4/1 M H2SO4 + 1 M HCl אלקטרוליט.(ב) שיטת רנדלס-סבצ'יק ו-(ג) ניקולסון VO2+/VO2+ להערכת יעילות הדיפוזיה וקבלת ערכי k0(d).
לא רק שה-HWO-50% C76 הציג כמעט את אותה פעילות אלקטרוקטליטית כמו C76 עבור תגובת VO2+/VO2+, אלא, יותר מעניין, הוא גם דיכא את התפתחות הכלור בהשוואה ל-C76, כפי שמוצג באיור 6a, וגם מציג את חצי המעגל הקטן באיור.6d (RCT תחתון).C76 הראה Ipa/Ipc גבוה יותר מאשר HWO-50% C76 (טבלה S3), לא בגלל הפיכות התגובה המשופרת, אלא בגלל החפיפה השיא של תגובת הפחתת הכלור עם SHE ב-1.2 V. הביצועים הטובים ביותר של HWO- ה-50% C76 מיוחסים להשפעה הסינרגטית של ה-C7t הניתנת להליך שלילי ו-C76. אליטי ב-HWO.פחות פליטת כלור תשפר את יעילות הטעינה של התא המלא, בעוד קינטיקה משופרת תשפר את היעילות של מתח התא המלא.
לפי משוואה S1, עבור תגובה כמעט-הפיכה (העברת אלקטרונים איטית יחסית) הנשלטת על ידי דיפוזיה, זרם השיא (IP) תלוי במספר האלקטרונים (n), שטח האלקטרודה (A), מקדם דיפוזיה (D), מספר מקדם העברת האלקטרונים (α) ומהירות הסריקה (ν).על מנת לחקור את ההתנהגות מבוקרת הדיפוזיה של החומרים שנבדקו, הוכח הקשר בין IP ו- ν1/2 והוצג באיור 6b.מכיוון שכל החומרים מראים קשר ליניארי, התגובה נשלטת על ידי דיפוזיה.מכיוון שתגובת VO2+/VO2+ היא כמעט הפיכה, שיפוע הקו תלוי במקדם הדיפוזיה ובערך α (משוואה S1).מכיוון שמקדם הדיפוזיה קבוע (≈ 4 × 10-6 ס"מ לשנייה)52, ההבדל בשיפוע הקו מצביע ישירות על ערכים שונים של α, ומכאן על קצב העברת האלקטרונים על פני האלקטרודה, המוצג עבור C76 ו-HWO -50% C76 השיפוע התלול ביותר (קצב העברת האלקטרונים הגבוה ביותר).
למדרונות Warburg (W) המחושבים עבור התדרים הנמוכים המוצגים בטבלה S3 (איור 6d) יש ערכים קרובים ל-1 עבור כל החומרים, המצביעים על דיפוזיה מושלמת של מיני חיזור ומאשרים את ההתנהגות הליניארית של IP בהשוואה ל- ν1/2. נמדד CV.עבור HWO-50% C76, שיפוע Warburg סוטה מ-1 ל-1.32, מה שמצביע לא רק על דיפוזיה חצי אינסופית של המגיב (VO2+), אלא גם על תרומה אפשרית של התנהגות שכבה דקה להתנהגות דיפוזיה עקב נקבוביות האלקטרודה.
כדי לנתח עוד יותר את ההפיכות (קצב העברת האלקטרונים) של תגובת החיזור VO2+/VO2+, נעשה שימוש גם בשיטת התגובה הכמו-הפיכה של ניקולסון לקביעת קבוע הקצב הסטנדרטי k041.42.זה נעשה באמצעות משוואת S2 כדי לבנות את הפרמטר הקינטי חסר הממדים Ψ, שהוא פונקציה של ΔEp, כפונקציה של ν-1/2.טבלה S4 מציגה את ערכי ה-Ψ שהושגו עבור כל חומר אלקטרודה.התוצאות (איור 6c) שורטטו כדי לקבל k0 × 104 ס"מ/שניה מהשיפוע של כל חלקה באמצעות משוואה S3 (נכתבת ליד כל שורה ומוצגת בטבלה S4).נמצא כי HWO-50% C76 הוא בעל השיפוע הגבוה ביותר (איור 6c), ולכן הערך המרבי של k0 הוא 2.47 × 10-4 ס"מ/שניה.משמעות הדבר היא שאלקטרודה זו משיגה את הקינטיקה המהירה ביותר, אשר עולה בקנה אחד עם תוצאות ה-CV ו-EIS באיור 6a ו-d ובטבלה S3.בנוסף, הערך של k0 התקבל גם מחלקת Nyquist (איור 6d) של משוואה S4 באמצעות ערך RCT (טבלה S3).תוצאות k0 אלה מ-EIS מסוכמות בטבלה S4 ומראות גם ש-HWO-50% C76 מציג את קצב העברת האלקטרונים הגבוה ביותר בשל ההשפעה הסינרגטית.למרות שערכי k0 שונים בגלל המקורות השונים של כל שיטה, הם עדיין מראים את אותו סדר גודל ומראים עקביות.
כדי להבין היטב את הקינטיקה המצוינת שהתקבלה, חשוב להשוות בין חומרי האלקטרודה האופטימליים לבין אלקטרודות UCC ו- TCC לא מצופות.עבור תגובת VO2+/VO2+, HWO-C76 לא רק הראה את ה-ΔEp הנמוך ביותר והפיכות טובה יותר, אלא גם דיכא משמעותית את תגובת התפתחות הכלור הטפילית בהשוואה ל-TCC, כפי שנמדד על ידי הזרם ב-1.45 V ביחס ל-SHE (איור 7a).מבחינת יציבות, הנחנו ש-HWO-50% C76 היה יציב פיזית מכיוון שהזרז היה מעורבב עם מקשר PVDF ולאחר מכן הוחל על אלקטרודות בד הפחמן.HWO-50% C76 הראה שינוי שיא של 44 mV (קצב פירוק 0.29 mV/מחזור) לאחר 150 מחזורים בהשוואה ל-50 mV עבור UCC (איור 7b).זה אולי לא הבדל גדול, אבל הקינטיקה של אלקטרודות UCC היא איטית מאוד ומתכלה עם רכיבה על אופניים, במיוחד עבור תגובות הפוכות.למרות שההפיכות של TCC טובה בהרבה מזו של UCC, נמצא כי ל-TCC יש תזוזה גדולה של שיא של 73 mV לאחר 150 מחזורים, מה שעשוי לנבוע מהכמות הגדולה של כלור שנוצרה על פני השטח שלו.כך שהזרז נצמד היטב למשטח האלקטרודה.כפי שניתן לראות מכל האלקטרודות שנבדקו, אפילו אלקטרודות ללא זרזים נתמכים הראו דרגות שונות של חוסר יציבות ברכיבה, דבר המצביע על כך שהשינוי בהפרדת שיא במהלך רכיבה על אופניים נובע מנטרול החומר שנגרם על ידי שינויים כימיים ולא מהפרדת זרז.בנוסף, אם כמות גדולה של חלקיקי זרז הייתה מופרדת ממשטח האלקטרודה, הדבר יביא לעלייה משמעותית בהפרדת שיא (לא רק 44 mV), שכן המצע (UCC) אינו פעיל יחסית לתגובת החיזור VO2+/VO2+.
השוואה בין קורות החיים של חומר האלקטרודה הטוב ביותר בהשוואה ל-UCC (א) והיציבות של תגובת החיזור VO2+/VO2+ (ב).ν = 5 mV/s עבור כל קורות החיים ב-0.1 M VOSO4/1 M H2SO4 + 1 M HCl אלקטרוליט.
כדי להגביר את האטרקטיביות הכלכלית של טכנולוגיית VRFB, הרחבת והבנת הקינטיקה של תגובות חיזור ונדיום חיונית להשגת יעילות אנרגטית גבוהה.הוכנו חומרים מרוכבים HWO-C76 והשפעתם האלקטרוקטליטית על תגובת VO2+/VO2+ נחקרה.HWO הראה שיפור קינטי קטן באלקטרוליטים חומציים מעורבים אך דיכא משמעותית את התפתחות הכלור.נעשה שימוש ביחסים שונים של HWO:C76 כדי לייעל עוד יותר את הקינטיקה של אלקטרודות מבוססות HWO.הגדלת C76 ל-HWO משפרת את קינטיקה של העברת האלקטרונים של תגובת VO2+/VO2+ על האלקטרודה המותאמת, שמתוכם HWO-50% C76 הוא החומר הטוב ביותר מכיוון שהוא מפחית את ההתנגדות להעברת מטען ומדכא עוד יותר את הכלור בהשוואה להפקדת C76 ו-TCC..זה נובע מהאפקט הסינרגטי בין הכלאה של C=C sp2, קבוצות פונקציונליות OH ו-W-OH.קצב הפירוק לאחר מחזור חוזר של HWO-50% C76 נמצא 0.29 mV/מחזור, בעוד שקצב הפירוק של UCC ו- TCC הוא 0.33 mV/cycle ו-0.49 mV/cycle, בהתאמה, מה שהופך אותו ליציב מאוד.באלקטרוליטים חומציים מעורבים.התוצאות שהוצגו מזהות בהצלחה חומרי אלקטרודה בעלי ביצועים גבוהים לתגובת VO2+/VO2+ עם קינטיקה מהירה ויציבות גבוהה.זה יגדיל את מתח המוצא, ובכך יגדיל את יעילות האנרגיה של ה-VRFB, ובכך יקטין את עלות המסחור העתידי שלו.
מערכי הנתונים ששימשו ו/או נותחו במחקר הנוכחי זמינים מהמחברים המתאימים לפי בקשה סבירה.
לודרר ג' ואח'.הערכת כוח רוח ושמש בתרחישים גלובליים של אנרגיה דלת פחמן: מבוא.חיסכון באנרגיה.64, 542–551.https://doi.org/10.1016/j.eneco.2017.03.027 (2017).
Lee, HJ, Park, S. & Kim, H. ניתוח ההשפעה של משקעי MnO2 על הביצועים של סוללת זרימת חיזור ונדיום/מנגן. Lee, HJ, Park, S. & Kim, H. ניתוח ההשפעה של משקעי MnO2 על הביצועים של סוללת זרימת חיזור ונדיום/מנגן.Lee, HJ, Park, S. and Kim, H. ניתוח ההשפעה של תצהיר MnO2 על הביצועים של סוללת זרימת חיזור ונדיום מנגן. Lee, HJ, Park, S. & Kim, H. MnO2 沉淀对钒/锰氧化还原液流电池性能影响的分析。 Lee, HJ, Park, S. & Kim, H. MnO2Lee, HJ, Park, S. and Kim, H. ניתוח ההשפעה של שקיעת MnO2 על הביצועים של סוללות זרימת חיזור ונדיום מנגן.י אלקטרוכימיה.מסיבה חברתית.165(5), A952-A956.https://doi.org/10.1149/2.0881805jes (2018).
Shah, AA, Tangirala, R., Singh, R., Wills, RGA & Walsh, FC דגם תא יחידה דינמי לסוללת זרימת ונדיום. Shah, AA, Tangirala, R., Singh, R., Wills, RGA & Walsh, FC דגם תא יחידה דינמי לסוללת זרימת ונדיום.שאה AA, Tangirala R, Singh R, Wills RG.ו-Walsh FK דגם דינמי של התא היסודי של סוללת זרימת ונדיום. Shah, AA, Tangirala, R., Singh, R., Wills, RGA & Walsh, FC 全钒液流电池的动态单元电池模型. Shah, AA, Tangirala, R., Singh, R., Wills, RGA & Walsh, FC.שאה AA, Tangirala R, Singh R, Wills RG.ו-Walsh FK תא דינמי של סוללת זרימת חיזור מלא ונדיום.י אלקטרוכימיה.מסיבה חברתית.158(6), A671.https://doi.org/10.1149/1.3561426 (2011).
Gandomi, YA, Aaron, DS, Zawodzinski, TA & Mench, MM מדידת התפלגות פוטנציאל באתרו ומודל מאומת לסוללת זרימת חיזור מלא ונדיום. Gandomi, YA, Aaron, DS, Zawodzinski, TA & Mench, MM מדידת התפלגות פוטנציאל באתרו ומודל מאומת לסוללת זרימת חיזור מלא ונדיום.גנדומי, יו.A., Aaron, DS, Zavodzinski, TA and Mench, MM מדידת התפלגות פוטנציאל במקום ומודל מאומת עבור פוטנציאל חיזור של סוללת זרימת ונדיום כולה. Gandomi, YA, אהרון, DS, Zawodzinski, TA & Mench, MM Gandomi, YA, Aaron, DS, Zawodzinski, TA & Mench, MM.מודל מדידה ואימות של התפלגות פוטנציאל 全vanadium oxidase redox液流液的原位.גנדומי, יו.A., Aaron, DS, Zavodzinski, TA and Mench, MM מדידת מודל ואימות של חלוקת פוטנציאל במקום עבור סוללות חיזור זרימת כל ונדיום.י אלקטרוכימיה.מסיבה חברתית.163(1), A5188-A5201.https://doi.org/10.1149/2.0211601jes (2016).
Tsushima, S. & Suzuki, T. מידול וסימולציה של סוללת זרימת ונדיום חיזור עם שדה זרימה משולב למיטוב ארכיטקטורת האלקטרודות. Tsushima, S. & Suzuki, T. מידול וסימולציה של סוללת זרימת ונדיום חיזור עם שדה זרימה משולב למיטוב ארכיטקטורת האלקטרודות.Tsushima, S. and Suzuki, T. מידול וסימולציה של סוללת חיזור ונדיום בזרימה עם זרימה מקוטבת נגדית לאופטימיזציה של ארכיטקטורת האלקטרודות. Tsushima, S. & Suzuki, T. 具有叉指流场的钒氧化还原液流电池的建模和仿真，用于优斁 Tsushima, S. & Suzuki, T. 叉指流场的叉指流场的סוללת זרימת נוזלים להפחתת תחמוצת ונדיום的מידול וסימולציה למיטוב מבנה האלקטרודה.Tsushima, S. and Suzuki, T. מידול וסימולציה של סוללות זרימת ונדיום חיזור עם שדות זרימה נגדיים לאופטימיזציה של מבנה האלקטרודות.י אלקטרוכימיה.מסיבה חברתית.167(2), 020553. https://doi.org/10.1149/1945-7111/ab6dd0 (2020).
Sun, B. & Skyllas-Kazacos, M. שינוי של חומרי אלקטרודות גרפיט ליישום סוללת זרימת חיזור ונדיום - א. Sun, B. & Skyllas-Kazacos, M. שינוי של חומרי אלקטרודות גרפיט ליישום סוללת זרימת חיזור ונדיום - א.Sun, B. and Scylas-Kazakos, M. שינוי של חומרי אלקטרודות גרפיט עבור סוללות חיזור ונדיום - I. Sun, B. & Skyllas-Kazacos, M. 石墨电极材料在钒氧化还原液流电池应用中的改性——I。 Sun, B. & Skyllas-Kazacos, M. שינוי של חומרי אלקטרודה 石墨 ביישום סוללה נוזלית להפחתת חמצון ונדיום——I.Sun, B. and Scylas-Kazakos, M. שינוי של חומרי אלקטרודות גרפיט לשימוש בסוללות חיזור ונדיום - I.טיפול בחום Electrochem.Acta 37(7), 1253-1260.https://doi.org/10.1016/0013-4686(92)85064-R (1992).
Liu, T., Li, X., Zhang, H. & Chen, J. התקדמות בחומרי האלקטרודה לקראת סוללות זרימת ונדיום (VFBs) עם צפיפות הספק משופרת. Liu, T., Li, X., Zhang, H. & Chen, J. התקדמות בחומרי האלקטרודה לקראת סוללות זרימת ונדיום (VFBs) עם צפיפות הספק משופרת.Liu, T., Li, X., Zhang, H. and Chen, J. התקדמות בחומרי אלקטרודה לסוללות זרימת ונדיום (VFB) עם צפיפות הספק משופרת. Liu, T., Li, X., Zhang, H. & Chen, J. 提高功率密度的钒液流电池(VFB) 电极材料的进展。 Liu, T., Li, X., Zhang, H. & Chen, J.Liu, T., Li, S., Zhang, H. and Chen, J. התקדמות בחומרי אלקטרודה עבור סוללות זרימת ונדיום Redox (VFB) עם צפיפות הספק מוגברת.J. Energy Chemistry.27(5), 1292-1303.https://doi.org/10.1016/j.jechem.2018.07.003 (2018).
Liu, QH et al.תא זרימת ונדיום חיזור ביעילות גבוהה עם תצורת אלקטרודות אופטימלית ובחירת ממברנות.י אלקטרוכימיה.מסיבה חברתית.159(8), A1246-A1252.https://doi.org/10.1149/2.051208jes (2012).
Wei, G., Jia, C., Liu, J. & Yan, C. ננו-צינורות פחמן נתמכים לבד פחמן מזרזים אלקטרודה מרוכבת ליישום סוללת זרימת חיזור ונדיום. Wei, G., Jia, C., Liu, J. & Yan, C. ננו-צינורות פחמן נתמכים לבד פחמן מזרזים אלקטרודה מרוכבת ליישום סוללת זרימת חיזור ונדיום.Wei, G., Jia, Q., Liu, J. and Yang, K. זרזי אלקטרודה מרוכבים המבוססים על ננו-צינוריות פחמן עם מצע לבד פחמן לשימוש בסוללת חיזור ונדיום. Wei, G., Jia, C., Liu, J. & Yan, C. Wei, G., Jia, C., Liu, J. & Yan, C. אלקטרודה מרוכבת של זרז פחמן ננו-צינורית מרוכבת של פחמן לבד להפחתת חמצון ונדיום ליישום סוללת זרימת נוזלים.Wei, G., Jia, Q., Liu, J. and Yang, K. אלקטרודה מורכבת של זרז ננו-צינורות פחמן עם מצע לבד פחמן ליישום בסוללות חיזור ונדיום.ג'יי כוח.220, 185–192.https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2012.07.081 (2012).
Moon, S., Kwon, BW, Chung, Y. & Kwon, Y. השפעת ביסמוט סולפט מצופה על CNT מחומצה על הביצועים של סוללת זרימת חיזור ונדיום. Moon, S., Kwon, BW, Chung, Y. & Kwon, Y. השפעת ביסמוט סולפט מצופה על CNT מחומצה על הביצועים של סוללת זרימת חיזור ונדיום.Moon, S., Kwon, BW, Chang, Y. ו-Kwon, Y. השפעת ביסמוט סולפט שהופקד על CNTs מחומצנים על המאפיינים של סוללת חיזור ונדיום זורמת. Moon, S., Kwon, BW, Chung, Y. & Kwon, Y. 涂在酸化CNT 上的硫酸铋对钒氧化还原液流电池性能的彂 Moon, S., Kwon, BW, Chung, Y. & Kwon, Y. השפעת ביסמוט סולפט על חמצון CNT על ביצועי סוללת זרימת נוזל הפחתת חמצון ונדיום.Moon, S., Kwon, BW, Chang, Y. and Kwon, Y. השפעת ביסמוט סולפט שהופקד על CNTs מחומצנים על המאפיינים של סוללות חיזור ונדיום זרימת דרך.י אלקטרוכימיה.מסיבה חברתית.166(12), A2602.https://doi.org/10.1149/2.1181912jes (2019).
הואנג ר.-ה.Pt/Multilayer Carbon Nanotube אלקטרודות אקטיביות שעברו שינוי עבור סוללות ונדיום Redox Flow.י אלקטרוכימיה.מסיבה חברתית.159(10), A1579.https://doi.org/10.1149/2.003210jes (2012).
Kahn, S. et al.סוללות זרימת חיזור ונדיום משתמשות בזרזים חשמליים המעוטרים בננו-צינוריות פחמן מסוימות בחנקן, שמקורן בפיגומים אורגנו-מתכתיים.י אלקטרוכימיה.מסיבה חברתית.165(7), A1388.https://doi.org/10.1149/2.0621807jes (2018).
Khan, P. et al.גליונות ננו תחמוצת גרפן משמשים כחומרים פעילים אלקטרוכימית מצוינים עבור זוגות חיזור VO2+/ ו-V2+/V3+ בסוללות זרימת חיזור ונדיום.פחמן 49(2), 693–700.https://doi.org/10.1016/j.carbon.2010.10.022 (2011).
גונזלס ז' ואח'.ביצועים אלקטרוכימיים יוצאי דופן של לבד גרפיט שעבר שינוי בגרפן עבור יישומי סוללת ונדיום חיזור.ג'יי כוח.338, 155-162.https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2016.10.069 (2017).
González, Z., Vizireanu, S., Dinescu, G., Blanco, C. & Santamaría, R. Carbon nanowalls סרטים דקים כחומרי אלקטרודה בננו בסוללות זרימת חיזור ונדיום. González, Z., Vizireanu, S., Dinescu, G., Blanco, C. & Santamaría, R. Carbon nanowalls סרטים דקים כחומרי אלקטרודה בננו בסוללות זרימת חיזור ונדיום.González Z., Vizirianu S., Dinescu G., Blanco C. ו- Santamaria R. סרטים דקים של ננו-קירות פחמן כחומרי אלקטרודה בננו בסוללות זרימת חיזור ונדיום.González Z., Vizirianu S., Dinescu G., Blanco S. ו- Santamaria R. Carbon Nanowall סרטים כחומרי אלקטרודה בננו בסוללות זרימת חיזור ונדיום.ננו אנרגיה 1(6), 833–839.https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2012.07.003 (2012).
Opar, DO, Nankya, R., Lee, J. & Jung, H. לבד פחמן מזופורי עם שינוי גרפן תלת מימדי עבור סוללות זרימת חיזור ונדיום בעלות ביצועים גבוהים. Opar, DO, Nankya, R., Lee, J. & Jung, H. לבד פחמן מזופורי עם שינוי גרפן תלת מימדי עבור סוללות זרימת חיזור ונדיום בעלות ביצועים גבוהים.Opar DO, Nankya R., Lee J., and Yung H. לבד פחמן מזופורי בעל ביצועים גבוהים בגרפן שעבר ביצועים גבוהים לסוללות זרימת חיזור ונדיום. Opar, DO, Nankya, R., Lee, J. & Jung, H. Opar, DO, Nankya, R., Lee, J. & Jung, H.Opar DO, Nankya R., Lee J., and Yung H. לבד פחמן מזופורי בעל ביצועים גבוהים בגרפן שעבר ביצועים גבוהים לסוללות זרימת חיזור ונדיום.אלקטרוכים.Act 330, 135276. https://doi.org/10.1016/j.electacta.2019.135276 (2020).