Cảm ơn bạn đã ghé thăm Nature.com.Phiên bản trình duyệt bạn đang sử dụng có hỗ trợ CSS hạn chế.Để có trải nghiệm tốt nhất, chúng tôi khuyên bạn nên sử dụng trình duyệt cập nhật (hoặc tắt Chế độ tương thích trong Internet Explorer).Trong thời gian chờ đợi, để đảm bảo hỗ trợ liên tục, chúng tôi sẽ hiển thị trang web không có kiểu và JavaScript.
Một băng chuyền hiển thị ba trang trình bày cùng một lúc.Sử dụng các nút Trước và Tiếp theo để di chuyển qua ba trang chiếu cùng một lúc hoặc sử dụng các nút thanh trượt ở cuối để di chuyển qua ba trang chiếu cùng một lúc.
Chi phí tương đối cao của pin oxi hóa khử toàn vanadi (VRFB) hạn chế việc sử dụng rộng rãi chúng.Cải thiện động học của các phản ứng điện hóa là cần thiết để tăng công suất cụ thể và hiệu suất năng lượng của VRFB, do đó giảm chi phí kWh của VRFB.Trong nghiên cứu này, các hạt nano oxit vonfram ngậm nước (HWO), C76 và C76/HWO, được tổng hợp bằng phương pháp thủy nhiệt, được lắng đọng trên các điện cực vải cacbon và được thử nghiệm làm chất xúc tác điện cho phản ứng oxi hóa khử VO2+/VO2+.Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường (FESEM), quang phổ tia X tán sắc năng lượng (EDX), kính hiển vi điện tử truyền qua có độ phân giải cao (HR-TEM), nhiễu xạ tia X (XRD), quang phổ quang điện tử tia X (XPS), quang phổ biến đổi Fourier hồng ngoại (FTIR) và phép đo góc tiếp xúc.Người ta đã phát hiện ra rằng việc bổ sung fullerene C76 vào HWO có thể cải thiện động học của điện cực bằng cách tăng tính dẫn điện và cung cấp các nhóm chức bị oxy hóa trên bề mặt của nó, do đó thúc đẩy phản ứng oxy hóa khử VO2+/VO2+.Hỗn hợp HWO/C76 (50% trọng lượng C76) được chứng minh là lựa chọn tốt nhất cho phản ứng VO2+/VO2+ với ΔEp là 176 mV, trong khi vải cacbon chưa xử lý (UCC) là 365 mV.Ngoài ra, hỗn hợp HWO/C76 cho thấy tác dụng ức chế đáng kể phản ứng tiến hóa clo ký sinh do nhóm chức W-OH.
Hoạt động mạnh mẽ của con người và cuộc cách mạng công nghiệp diễn ra nhanh chóng đã dẫn đến nhu cầu điện cao không ngừng, tăng khoảng 3% mỗi năm1.Trong nhiều thập kỷ, việc sử dụng rộng rãi nhiên liệu hóa thạch làm nguồn năng lượng đã dẫn đến phát thải khí nhà kính góp phần làm trái đất nóng lên, ô nhiễm nước và không khí, đe dọa toàn bộ hệ sinh thái.Do đó, sự thâm nhập của năng lượng gió và mặt trời sạch và tái tạo dự kiến ​​sẽ đạt 75% tổng lượng điện vào năm 20501. Tuy nhiên, khi tỷ lệ điện từ các nguồn tái tạo vượt quá 20% tổng lượng điện phát ra, lưới điện sẽ trở nên không ổn định.
Trong số tất cả các hệ thống lưu trữ năng lượng như pin dòng oxi hóa khử vanadi lai2, pin dòng oxi hóa khử hoàn toàn vanadi (VRFB) đã phát triển nhanh nhất do có nhiều ưu điểm và được coi là giải pháp tốt nhất để lưu trữ năng lượng lâu dài (khoảng 30 năm).) Phương án kết hợp với năng lượng tái tạo4.Điều này là do sự tách biệt giữa công suất và mật độ năng lượng, phản ứng nhanh, tuổi thọ dài và chi phí hàng năm tương đối thấp là 65 đô la Mỹ/kWh so với 93-140 đô la Mỹ/kWh đối với pin Li-ion và axit chì và 279-420 đô la Mỹ cho mỗi kWh.pin tương ứng 4.
Tuy nhiên, việc thương mại hóa quy mô lớn của chúng vẫn bị hạn chế bởi chi phí vốn hệ thống tương đối cao, chủ yếu là do ngăn xếp tế bào4,5.Do đó, việc cải thiện hiệu suất ngăn xếp bằng cách tăng động học của hai phản ứng nửa nguyên tố có thể giảm kích thước ngăn xếp và do đó giảm chi phí.Do đó, việc chuyển điện tử nhanh đến bề mặt điện cực là cần thiết, điều này phụ thuộc vào thiết kế, thành phần và cấu trúc của điện cực và yêu cầu tối ưu hóa cẩn thận6.Mặc dù tính ổn định hóa học và điện hóa tốt và tính dẫn điện tốt của các điện cực carbon, nhưng động học không được xử lý của chúng rất chậm chạp do không có các nhóm chức oxy và tính ưa nước7,8.Do đó, các chất xúc tác điện khác nhau được kết hợp với các điện cực dựa trên carbon, đặc biệt là cấu trúc nano carbon và oxit kim loại, để cải thiện động học của cả hai điện cực, do đó làm tăng động học của điện cực VRFB.
Ngoài nghiên cứu trước đây của chúng tôi về C76, lần đầu tiên chúng tôi đã báo cáo hoạt động xúc tác điện tuyệt vời của fullerene này đối với VO2+/VO2+, truyền điện tích, so với vải carbon được xử lý nhiệt và chưa xử lý.Kháng chiến giảm 99,5% và 97%.Hiệu suất xúc tác của vật liệu cacbon cho phản ứng VO2+/VO2+ so với C76 được thể hiện trong Bảng S1.Mặt khác, nhiều oxit kim loại như CeO225, ZrO226, MoO327, NiO28, SnO229, Cr2O330 và WO331, 32, 33, 34, 35, 36, 37 đã được sử dụng vì khả năng thấm ướt tăng và chức năng oxy dồi dào., 38. nhóm.Hoạt tính xúc tác của các oxit kim loại này trong phản ứng VO2+/VO2+ được trình bày trong Bảng S2.WO3 đã được sử dụng trong một số lượng đáng kể các công trình do chi phí thấp, tính ổn định cao trong môi trường axit và hoạt tính xúc tác cao31,32,33,34,35,36,37,38.Tuy nhiên, sự cải thiện về động học catốt do WO3 là không đáng kể.Để cải thiện độ dẫn điện của WO3, hiệu quả của việc sử dụng oxit vonfram khử (W18O49) đối với hoạt động catốt đã được thử nghiệm38.Oxit vonfram ngậm nước (HWO) chưa bao giờ được thử nghiệm trong các ứng dụng VRFB, mặc dù nó thể hiện hoạt tính gia tăng trong các ứng dụng siêu tụ điện do khuếch tán cation nhanh hơn so với WOx39,40 khan.Pin dòng oxi hóa khử vanadi thế hệ thứ ba sử dụng chất điện phân axit hỗn hợp bao gồm HCl và H2SO4 để cải thiện hiệu suất của pin cũng như cải thiện khả năng hòa tan và tính ổn định của các ion vanadi trong chất điện phân.Tuy nhiên, phản ứng tiến hóa clo ký sinh đã trở thành một trong những nhược điểm của thế hệ thứ ba, vì vậy việc tìm kiếm các cách để ức chế phản ứng đánh giá clo đã trở thành tâm điểm của một số nhóm nghiên cứu.
Tại đây, các thử nghiệm phản ứng VO2+/VO2+ đã được thực hiện trên vật liệu tổng hợp HWO/C76 lắng đọng trên các điện cực vải cacbon nhằm tìm ra sự cân bằng giữa tính dẫn điện của vật liệu tổng hợp và động học oxi hóa khử của bề mặt điện cực đồng thời ngăn chặn sự phát triển của clo ký sinh.phản hồi (CER).Các hạt nano oxit vonfram ngậm nước (HWO) được tổng hợp bằng phương pháp thủy nhiệt đơn giản.Các thí nghiệm được thực hiện trong chất điện phân axit hỗn hợp (H2SO4/HCl) để mô phỏng VRFB thế hệ thứ ba (G3) cho thực tế và để nghiên cứu tác động của HWO đối với phản ứng tiến hóa clo ký sinh.
Vanadi(IV) sunfat hydrat (VOSO4, 99,9%, Alfa-Aeser), axit sunfuric (H2SO4), axit clohydric (HCl), dimetylformamit (DMF, Sigma-Aldrich), polyvinylidene florua (PVDF, Sigma)-Aldrich), natri vonfram oxit dihydrat (Na2WO4, 99%, Sigma-Aldrich) và vải carbon ưa nước ELAT (Cửa hàng pin nhiên liệu) đã được sử dụng trong nghiên cứu này.
Ôxít vonfram ngậm nước (HWO) được điều chế bằng phản ứng thủy nhiệt 43 trong đó 2 g muối Na2WO4 được hòa tan trong 12 ml H2O để tạo thành dung dịch không màu, sau đó thêm từng giọt 12 ml HCl 2 M để tạo thành huyền phù màu vàng nhạt.Bùn được đặt trong nồi hấp bằng thép không gỉ phủ Teflon và giữ trong lò ở 180° C. trong 3 giờ cho phản ứng thủy nhiệt.Phần cặn được thu thập bằng cách lọc, rửa 3 lần bằng etanol và nước, sấy khô trong tủ sấy ở 70°C trong ~3 giờ, sau đó nghiền nhỏ để tạo thành bột HWO màu xám xanh.
Các điện cực vải cacbon (CCT) thu được (chưa xử lý) được sử dụng nguyên trạng hoặc được xử lý nhiệt trong lò ống ở nhiệt độ 450°C trong không khí với tốc độ gia nhiệt là 15 ºC/phút trong 10 giờ để thu được các CC đã xử lý (TCC).như đã mô tả trong bài viết trước24.UCC và TCC được cắt thành các điện cực rộng khoảng 1,5 cm và dài 7 cm.Các huyền phù của C76, HWO, HWO-10% C76, HWO-30% C76 và HWO-50% C76 đã được điều chế bằng cách thêm 20 mg .% (~2,22 mg) chất kết dính PVDF vào ~1 ml DMF và được siêu âm trong 1 giờ để cải thiện tính đồng nhất.2 mg vật liệu tổng hợp C76, HWO và HWO-C76 được áp dụng tuần tự cho diện tích điện cực hoạt động UCC khoảng 1,5 cm2.Tất cả các chất xúc tác được nạp vào các điện cực UCC và TCC chỉ được sử dụng cho mục đích so sánh, vì nghiên cứu trước đây của chúng tôi cho thấy rằng không cần xử lý nhiệt24.Quá trình lắng lấy dấu đạt được bằng cách chải 100 µl huyền phù (tải 2 mg) để có hiệu ứng đồng đều hơn.Sau đó, tất cả các điện cực được sấy khô trong lò ở 60° C. qua đêm.Các điện cực được đo tiến và lùi để đảm bảo nạp hàng chính xác.Để có một diện tích hình học nhất định (~1,5 cm2) và ngăn chặn sự gia tăng của chất điện phân vanadi lên điện cực do hiệu ứng mao dẫn, một lớp parafin mỏng được phủ lên trên vật liệu hoạt tính.
Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường (FESEM, Zeiss SEM Ultra 60, 5 kV) được sử dụng để quan sát hình thái bề mặt HWO.Máy quang phổ tia X phân tán năng lượng được trang bị Feii8SEM (EDX, Zeiss Inc.) đã được sử dụng để ánh xạ các phần tử HWO-50%C76 trên các điện cực UCC.Kính hiển vi điện tử truyền qua có độ phân giải cao (HR-TEM, JOEL JEM-2100) hoạt động ở điện áp gia tốc 200 kV được sử dụng để chụp ảnh các hạt HWO có độ phân giải cao hơn và các vòng nhiễu xạ.Phần mềm Crystallography Toolbox (CrysTBox) sử dụng chức năng ringGUI để phân tích mẫu nhiễu xạ vòng HWO và so sánh kết quả với mẫu XRD.Cấu trúc và đồ thị hóa của UCC và TCC được phân tích bằng nhiễu xạ tia X (XRD) ở tốc độ quét 2,4°/phút từ 5° đến 70° với Cu Kα (λ = 1,54060 Å) bằng máy đo nhiễu xạ tia X Panalytical (Kiểu 3600).XRD cho thấy cấu trúc tinh thể và pha của HWO.Phần mềm PANalytical X'Pert HighScore được sử dụng để khớp các đỉnh HWO với bản đồ oxit vonfram có sẵn trong cơ sở dữ liệu45.Kết quả HWO được so sánh với kết quả TEM.Thành phần hóa học và trạng thái của các mẫu HWO được xác định bằng quang phổ quang điện tử tia X (XPS, ESCALAB 250Xi, ThermoScientific).Phần mềm CASA-XPS (v 2.3.15) đã được sử dụng để phân tích dữ liệu và giải mã cực đại.Để xác định các nhóm chức bề mặt của HWO và HWO-50%C76, các phép đo được thực hiện bằng phương pháp quang phổ hồng ngoại biến đổi Fourier (FTIR, máy quang phổ Perkin Elmer, sử dụng KBr FTIR).Kết quả được so sánh với kết quả XPS.Các phép đo góc tiếp xúc (KRUSS DSA25) cũng được sử dụng để mô tả khả năng thấm ướt của các điện cực.
Đối với tất cả các phép đo điện hóa, máy trạm Biologic SP 300 đã được sử dụng.Phép đo vôn kế vòng (CV) và quang phổ trở kháng điện hóa (EIS) được sử dụng để nghiên cứu động học điện cực của phản ứng oxi hóa khử VO2+/VO2+ và ảnh hưởng của sự khuếch tán thuốc thử (VOSO4(VO2+)) đến tốc độ phản ứng.Cả hai phương pháp đều sử dụng pin ba điện cực với nồng độ chất điện phân là 0,1 M VOSO4 (V4+) trong H2SO4 1 M + HCl 1 M (hỗn hợp các axit).Tất cả dữ liệu điện hóa được trình bày đều được hiệu chỉnh bằng IR.Điện cực calomel bão hòa (SCE) và cuộn dây bạch kim (Pt) lần lượt được sử dụng làm điện cực tham chiếu và điện cực đối.Đối với CV, tốc độ quét (ν) là 5, 20 và 50 mV/s được áp dụng cho cửa sổ tiềm năng VO2+/VO2+ cho (0–1) V so với SCE, sau đó điều chỉnh cho SHE để vẽ biểu đồ (VSCE = 0,242 V so với HSE) .Để nghiên cứu khả năng duy trì hoạt động của điện cực, các CV tuần hoàn lặp lại được thực hiện ở ν 5 mV/s đối với UCC, TCC, UCC-C76, UCC-HWO và UCC-HWO-50% C76.Đối với các phép đo EIS, dải tần của phản ứng oxi hóa khử VO2+/VO2+ là 0,01-105 Hz và nhiễu loạn điện áp ở điện áp mạch hở (OCV) là 10 mV.Mỗi thí nghiệm được lặp lại 2-3 lần để đảm bảo tính nhất quán của kết quả.Hằng số tốc độ không đồng nhất (k0) thu được bằng phương pháp Nicholson46,47.
Ôxít vonfram ngậm nước (HVO) đã được tổng hợp thành công bằng phương pháp thủy nhiệt.Ảnh SEM trong hình.Hình 1a cho thấy HWO lắng đọng bao gồm các cụm hạt nano có kích thước trong khoảng 25-50 nm.
Mẫu nhiễu xạ tia X của HWO hiển thị các đỉnh (001) và (002) lần lượt ở ~23,5° và ~47,5°, đặc trưng cho WO2.63 (W32O84) không cân bằng hóa học (PDF 077–0810, a = 21,4 Å, b = 17,8 Å, c = 3,8 Å, α = β = γ = 9 0°), tương ứng với màu xanh trong của chúng (Hình 1b) 48,49.Các đỉnh khác ở khoảng 20,5°, 27,1°, 28,1°, 30,8°, 35,7°, 36,7° và 52,7° được gán cho (140), (620), ( 350), (720), (740), (560°).) ) và (970) mặt phẳng nhiễu xạ tương ứng trực giao với WO2.63.Phương pháp tổng hợp tương tự đã được sử dụng bởi Songara et al.43 để thu được sản phẩm màu trắng, được cho là do sự có mặt của WO3(H2O)0,333.Tuy nhiên, trong công trình này, do các điều kiện khác nhau, một sản phẩm màu xám xanh đã thu được, cho thấy WO3(H2O)0,333 (PDF 087-1203, a = 7,3 Å, b = 12,5 Å, c = 7 ,7 Å, α = β = γ = 90°) và dạng khử của oxit vonfram.Phân tích bán định lượng bằng phần mềm X'Pert HighScore cho thấy 26% WO3(H2O)0,333:74% W32O84.Vì W32O84 bao gồm W6+ và W4+ (1,67:1 W6+:W4+), hàm lượng ước tính của W6+ và W4+ lần lượt là khoảng 72% W6+ và 28% W4+.Ảnh SEM, phổ XPS 1 giây ở cấp độ hạt nhân, ảnh TEM, phổ FTIR và phổ Raman của các hạt C76 đã được trình bày trong bài viết trước của chúng tôi.Theo Kawada và cộng sự,50,51 nhiễu xạ tia X của C76 sau khi loại bỏ toluene cho thấy cấu trúc đơn tà của FCC.
Ảnh SEM trong hình.Hình 2a và b cho thấy HWO và HWO-50%C76 đã được lắng đọng thành công trên và giữa các sợi cacbon của điện cực UCC.Bản đồ phần tử EDX của vonfram, carbon và oxy trên ảnh SEM trong hình.2c được thể hiện trong hình.Hình 2d-f chỉ ra rằng vonfram và carbon được trộn đều (thể hiện sự phân bố tương tự) trên toàn bộ bề mặt điện cực và hỗn hợp không được lắng đọng đồng đều do bản chất của phương pháp lắng đọng.
Ảnh SEM của các hạt HWO lắng đọng (a) và các hạt HWO-C76 (b).Ánh xạ EDX trên HWO-C76 được tải trên UCC sử dụng khu vực trong ảnh (c) cho thấy sự phân bố của vonfram (d), cacbon (e) và oxy (f) trong mẫu.
HR-TEM được sử dụng để chụp ảnh độ phóng đại cao và thông tin tinh thể học (Hình 3).HWO cho thấy hình thái khối nanô như trong Hình 3a và rõ ràng hơn trong Hình 3b.Bằng cách phóng đại ống nano cho nhiễu xạ của các vùng được chọn, người ta có thể hình dung cấu trúc cách tử và các mặt phẳng nhiễu xạ thỏa mãn định luật Bragg, như trong Hình 3c, xác nhận độ kết tinh của vật liệu.Trong phần bên trong của Hình 3c cho thấy khoảng cách d 3,3 Å tương ứng với các mặt phẳng nhiễu xạ (022) và (620) được tìm thấy trong các pha WO3(H2O)0,333 và W32O84, tương ứng43,44,49.Điều này phù hợp với phân tích XRD được mô tả ở trên (Hình 1b) do khoảng cách mặt phẳng cách tử quan sát được d (Hình 3c) tương ứng với đỉnh XRD mạnh nhất trong mẫu HWO.Các vòng mẫu cũng được hiển thị trong hình.3d, trong đó mỗi vòng tương ứng với một mặt phẳng riêng biệt.Các mặt phẳng WO3(H2O)0,333 và W32O84 lần lượt có màu trắng và xanh lam, và các đỉnh XRD tương ứng của chúng cũng được hiển thị trong Hình 1b.Vòng đầu tiên được hiển thị trong sơ đồ vòng tương ứng với đỉnh được đánh dấu đầu tiên trong mẫu tia X của mặt phẳng nhiễu xạ (022) hoặc (620).Từ các vòng (022) đến (402), các giá trị khoảng cách d là 3,30, 3,17, 2,38, 1,93 và 1,69 Å, phù hợp với các giá trị XRD là 3,30, 3,17, 2, 45, 1,93.và 1,66 Å, tương ứng bằng 44, 45.
(a) Ảnh HR-TEM của HWO, (b) hiển thị ảnh phóng to.Hình ảnh của các mặt phẳng cách tử được hiển thị trong (c), hình nhỏ (c) hiển thị hình ảnh phóng to của các mặt phẳng và độ cao d là 0,33nm tương ứng với các mặt phẳng (002) và (620).(d) Mẫu vòng HWO hiển thị các mặt phẳng liên kết với WO3(H2O)0,333 (màu trắng) và W32O84 (màu xanh).
Phân tích XPS được thực hiện để xác định trạng thái oxy hóa và hóa học bề mặt của vonfram (Hình S1 và 4).Phổ quét XPS phạm vi rộng của HWO tổng hợp được hiển thị trong Hình S1, cho thấy sự hiện diện của vonfram.Phổ quét hẹp XPS của các mức lõi W 4f và O 1 được hiển thị trong Hình.4a và b, tương ứng.Phổ W 4f chia thành hai cặp quỹ đạo spin tương ứng với năng lượng liên kết của trạng thái oxy hóa W.và W 4f7/2 ở mức 36,6 và 34,9 eV tương ứng là đặc trưng của trạng thái W4+ là 40.)0,333.Dữ liệu phù hợp cho thấy tỷ lệ phần trăm nguyên tử của W6+ và W4+ lần lượt là 85% và 15%, gần với giá trị ước tính từ dữ liệu XRD khi xem xét sự khác biệt giữa hai phương pháp.Cả hai phương pháp đều cung cấp thông tin định lượng với độ chính xác thấp, đặc biệt là XRD.Ngoài ra, hai phương pháp này phân tích các phần khác nhau của vật liệu vì XRD là phương pháp số lượng lớn trong khi XPS là phương pháp bề mặt chỉ tiếp cận vài nanomet.Phổ O 1s được chia thành hai cực đại ở 533 (22,2%) và 530,4 eV (77,8%).Liên kết đầu tiên tương ứng với OH và liên kết thứ hai với oxy trong mạng trong WO.Sự có mặt của các nhóm chức OH phù hợp với tính chất hydrat hóa của HWO.
Một phân tích FTIR cũng được thực hiện trên hai mẫu này để kiểm tra sự hiện diện của các nhóm chức và các phân tử nước phối hợp trong cấu trúc HWO ngậm nước.Kết quả cho thấy mẫu HWO-50% C76 và kết quả FT-IR HWO có vẻ giống nhau do có sự hiện diện của HWO, nhưng cường độ của các cực đại khác nhau do lượng mẫu khác nhau được sử dụng để chuẩn bị phân tích (Hình 5a).) HWO-50% C76 cho thấy rằng tất cả các pic, ngoại trừ pic của oxit vonfram, đều liên quan đến fullerene 24. Chi tiết trong hình.Hình 5a cho thấy cả hai mẫu thể hiện dải rộng rất mạnh ở mức ~710/cm được cho là do các dao động kéo dài của OWO trong cấu trúc mạng HWO, với bờ vai chắc chắn ở mức ~840/cm được cho là do WO.Đối với các dao động kéo dài, dải sắc nét ở khoảng 1610/cm được quy cho các dao động uốn cong của OH, trong khi dải hấp thụ rộng ở khoảng 3400/cm được quy cho các dao động kéo dài của OH trong các nhóm hydroxyl43.Những kết quả này phù hợp với phổ XPS trong Hình.4b, trong đó các nhóm chức năng WO có thể cung cấp các vị trí hoạt động cho phản ứng VO2+/VO2+.
Phân tích FTIR của HWO và HWO-50% C76 (a), chỉ ra các nhóm chức năng và phép đo góc tiếp xúc (b, c).
Nhóm OH cũng có thể xúc tác phản ứng VO2+/VO2+, đồng thời tăng tính ưa nước của điện cực, do đó thúc đẩy tốc độ khuếch tán và chuyển điện tử.Như được hiển thị, mẫu HWO-50% C76 cho thấy một đỉnh bổ sung cho C76.Các đỉnh ở ~2905, 2375, 1705, 1607 và 1445 cm3 có thể được gán tương ứng cho các dao động kéo dài CH, O=C=O, C=O, C=C và CO.Ai cũng biết rằng các nhóm chức oxy C=O và CO có thể đóng vai trò là trung tâm hoạt động cho các phản ứng oxy hóa khử của vanadi.Để kiểm tra và so sánh độ ẩm của hai điện cực, các phép đo góc tiếp xúc được thực hiện như trong Hình 5b, c.Điện cực HWO ngay lập tức hấp thụ các giọt nước, cho thấy tính siêu thấm nước do các nhóm chức OH có sẵn.HWO-50% C76 kỵ nước hơn, với góc tiếp xúc khoảng 135° sau 10 giây.Tuy nhiên, trong các phép đo điện hóa, điện cực HWO-50%C76 bị ướt hoàn toàn trong vòng chưa đầy một phút.Các phép đo độ ẩm phù hợp với kết quả XPS và FTIR, cho thấy rằng nhiều nhóm OH hơn trên bề mặt HWO làm cho nó tương đối ưa nước hơn.
Các phản ứng VO2+/VO2+ của HWO và nanocompozit HWO-C76 đã được thử nghiệm và người ta hy vọng rằng HWO sẽ ngăn chặn sự tiến hóa của clo trong phản ứng VO2+/VO2+ trong axit hỗn hợp và C76 sẽ xúc tác thêm phản ứng oxi hóa khử VO2+/VO2+ mong muốn.%, 30% và 50% C76 trong huyền phù HWO và CCC lắng đọng trên các điện cực với tổng tải khoảng 2 mg/cm2.
Như thể hiện trong hình.6, động học của phản ứng VO2+/VO2+ trên bề mặt điện cực được kiểm tra bằng CV trong chất điện phân axit hỗn hợp.Các dòng điện được hiển thị dưới dạng I/Ipa để dễ dàng so sánh ΔEp và Ipa/Ipc đối với các chất xúc tác khác nhau trực tiếp trên biểu đồ.Dữ liệu đơn vị diện tích hiện tại được hiển thị trong Hình 2S.Trên hình.Hình 6a cho thấy HWO làm tăng nhẹ tốc độ truyền electron của phản ứng oxi hóa khử VO2+/VO2+ trên bề mặt điện cực và ngăn chặn phản ứng tiến hóa clo ký sinh.Tuy nhiên, C76 làm tăng đáng kể tốc độ truyền điện tử và xúc tác cho phản ứng tiến hóa clo.Do đó, hỗn hợp có công thức chính xác của HWO và C76 dự kiến ​​sẽ có hoạt tính tốt nhất và khả năng ức chế phản ứng tiến hóa clo lớn nhất.Người ta thấy rằng sau khi tăng hàm lượng C76, hoạt động điện hóa của các điện cực được cải thiện, bằng chứng là giảm ΔEp và tăng tỷ lệ Ipa/Ipc (Bảng S3).Điều này cũng được xác nhận bởi các giá trị RCT được trích xuất từ ​​biểu đồ Nyquist trong Hình 6d (Bảng S3), được phát hiện là giảm khi tăng hàm lượng C76.Những kết quả này cũng phù hợp với nghiên cứu của Li, trong đó việc bổ sung carbon huyền phù vào WO3 huyền phù cho thấy động học chuyển điện tích được cải thiện trên VO2+/VO2+35.Điều này cho thấy rằng phản ứng trực tiếp có thể phụ thuộc nhiều hơn vào độ dẫn điện cực (liên kết C=C) 18, 24, 35, 36, 37. Điều này cũng có thể là do sự thay đổi trong dạng phối trí giữa [VO(H2O)5]2+ và [VO2(H2O)4]+, C76 làm giảm quá điện áp phản ứng bằng cách giảm năng lượng mô.Tuy nhiên, điều này có thể không thực hiện được với các điện cực HWO.
(a) Hành vi vôn kế theo chu kỳ (ν = 5 mV/s) của phản ứng VO2+/VO2+ của vật liệu tổng hợp UCC và HWO-C76 với các tỷ lệ HWO:C76 khác nhau trong chất điện phân 0,1 M VOSO4/1 M H2SO4 + 1 M HCl.(b) Phương pháp Randles-Sevchik và (c) Nicholson VO2+/VO2+ để đánh giá hiệu quả khuếch tán và thu được các giá trị k0(d).
HWO-50% C76 không chỉ thể hiện hoạt tính xúc tác điện gần như tương tự như C76 đối với phản ứng VO2+/VO2+, mà thú vị hơn, nó còn ngăn chặn sự tiến hóa của clo so với C76, như thể hiện trong Hình 6a, và cũng thể hiện Hình bán nguyệt nhỏ hơn trong hình.6d (RCT thấp hơn).C76 cho thấy Ipa/Ipc rõ ràng cao hơn so với HWO-50% C76 (Bảng S3), không phải do khả năng đảo ngược phản ứng được cải thiện, mà do sự trùng lặp cực đại của phản ứng khử clo với SHE ở 1,2 V. Hiệu suất tốt nhất của HWO-50% C76 được quy cho tác dụng hiệp đồng giữa C76 dẫn điện cao tích điện âm và khả năng thấm ướt cao và chức năng xúc tác W-OH trên HWO.Lượng khí thải clo ít hơn sẽ cải thiện hiệu quả sạc của toàn bộ tế bào, trong khi động lực học được cải thiện sẽ cải thiện hiệu quả của điện áp tế bào đầy đủ.
Theo phương trình S1, đối với phản ứng gần như thuận nghịch (chuyển điện tử tương đối chậm) được điều khiển bằng khuếch tán, dòng điện cực đại (IP) phụ thuộc vào số lượng điện tử (n), diện tích điện cực (A), hệ số khuếch tán (D), số lượng hệ số truyền điện tử (α) và tốc độ quét (ν).Để nghiên cứu hành vi được kiểm soát khuếch tán của các vật liệu được thử nghiệm, mối quan hệ giữa IP và ν1/2 đã được vẽ và trình bày trong Hình 6b.Vì tất cả các vật liệu đều có mối quan hệ tuyến tính nên phản ứng được kiểm soát bằng sự khuếch tán.Do phản ứng VO2+/VO2+ gần như thuận nghịch nên độ dốc của đường phụ thuộc vào hệ số khuếch tán và giá trị của α (phương trình S1).Vì hệ số khuếch tán không đổi (≈ 4 × 10–6 cm2/s)52, nên sự khác biệt về độ dốc của đường biểu thị trực tiếp các giá trị khác nhau của α và do đó tốc độ truyền electron trên bề mặt điện cực, được hiển thị cho C76 và HWO -50% C76 Độ dốc lớn nhất (tốc độ truyền electron cao nhất).
Độ dốc Warburg (W) được tính cho các tần số thấp được hiển thị trong Bảng S3 (Hình 6d) có giá trị gần bằng 1 đối với tất cả các vật liệu, biểu thị sự khuếch tán hoàn hảo của các loại oxi hóa khử và xác nhận hành vi tuyến tính của IP so với ν1/2. CV được đo.Đối với HWO-50% C76, độ dốc Warburg lệch từ 1 đến 1,32, cho thấy không chỉ sự khuếch tán bán vô hạn của thuốc thử (VO2+), mà còn có thể đóng góp của hành vi lớp mỏng vào hành vi khuếch tán do độ xốp của điện cực.
Để phân tích sâu hơn về độ thuận nghịch (tốc độ truyền electron) của phản ứng oxi hóa khử VO2+/VO2+, phương pháp phản ứng gần như thuận nghịch Nicholson cũng được sử dụng để xác định hằng số tốc độ chuẩn k041,42.Điều này được thực hiện bằng cách sử dụng phương trình S2 để xây dựng tham số động học không thứ nguyên Ψ, là hàm của ΔEp, là hàm của ν-1/2.Bảng S4 hiển thị các giá trị Ψ thu được cho từng vật liệu điện cực.Các kết quả (Hình 6c) được vẽ để thu được k0 × 104 cm/s từ độ dốc của từng ô bằng phương trình S3 (được viết bên cạnh mỗi hàng và được trình bày trong Bảng S4).HWO-50% C76 được phát hiện có độ dốc cao nhất (Hình 6c), do đó giá trị lớn nhất của k0 là 2,47 × 10–4 cm/s.Điều này có nghĩa là điện cực này đạt được động học nhanh nhất, phù hợp với kết quả CV và EIS trong Hình 6a và d và trong Bảng S3.Ngoài ra, giá trị của k0 cũng được lấy từ biểu đồ Nyquist (Hình 6d) của Phương trình S4 sử dụng giá trị RCT (Bảng S3).Các kết quả k0 này từ EIS được tóm tắt trong Bảng S4 và cũng cho thấy rằng HWO-50% C76 thể hiện tốc độ truyền điện tử cao nhất do hiệu ứng hiệp đồng.Mặc dù các giá trị k0 khác nhau do nguồn gốc khác nhau của mỗi phương pháp, nhưng chúng vẫn thể hiện cùng một thứ tự về độ lớn và thể hiện tính nhất quán.
Để hiểu đầy đủ về động học tuyệt vời thu được, điều quan trọng là phải so sánh các vật liệu điện cực tối ưu với các điện cực UCC và TCC không phủ.Đối với phản ứng VO2+/VO2+, HWO-C76 không chỉ cho thấy ΔEp thấp nhất và khả năng đảo ngược tốt hơn, mà còn ngăn chặn đáng kể phản ứng tiến hóa clo ký sinh so với TCC, được đo bằng dòng điện ở mức 1,45 V so với SHE (Hình 7a).Về độ ổn định, chúng tôi giả định rằng HWO-50% C76 ổn định về mặt vật lý vì chất xúc tác được trộn với chất kết dính PVDF và sau đó được áp dụng cho các điện cực vải carbon.HWO-50% C76 cho thấy mức dịch chuyển cực đại là 44 mV (tốc độ suy giảm 0,29 mV/chu kỳ) sau 150 chu kỳ so với 50 mV đối với UCC (Hình 7b).Đây có thể không phải là một sự khác biệt lớn, nhưng động học của các điện cực UCC rất chậm và suy giảm theo chu kỳ, đặc biệt là đối với các phản ứng ngược.Mặc dù khả năng đảo ngược của TCC tốt hơn nhiều so với UCC, TCC được phát hiện có độ dịch chuyển cực đại lớn 73 mV sau 150 chu kỳ, điều này có thể là do một lượng lớn clo hình thành trên bề mặt của nó.sao cho xúc tác bám dính tốt trên bề mặt điện cực.Như có thể thấy từ tất cả các điện cực được thử nghiệm, ngay cả các điện cực không có chất xúc tác được hỗ trợ cũng cho thấy mức độ không ổn định của chu kỳ khác nhau, cho thấy rằng sự thay đổi về sự phân tách cực đại trong quá trình chu kỳ là do sự ngừng hoạt động của vật liệu gây ra bởi các thay đổi hóa học chứ không phải do sự phân tách của chất xúc tác.Ngoài ra, nếu một lượng lớn các hạt chất xúc tác được tách ra khỏi bề mặt điện cực, điều này sẽ dẫn đến sự gia tăng đáng kể về mức phân tách đỉnh (không chỉ 44 mV), vì chất nền (UCC) tương đối không hoạt động đối với phản ứng oxi hóa khử VO2+/VO2+.
So sánh CV của vật liệu điện cực tốt nhất so với UCC (a) và độ ổn định của phản ứng oxi hóa khử VO2+/VO2+ (b).ν = 5 mV/s cho tất cả các CV trong chất điện phân 0,1 M VOSO4/1 M H2SO4 + 1 M HCl.
Để tăng tính hấp dẫn về mặt kinh tế của công nghệ VRFB, việc mở rộng và hiểu biết về động học của các phản ứng oxi hóa khử vanadi là điều cần thiết để đạt được hiệu suất năng lượng cao.Vật liệu tổng hợp HWO-C76 đã được điều chế và tác dụng xúc tác điện của chúng đối với phản ứng VO2+/VO2+ đã được nghiên cứu.HWO cho thấy ít sự tăng cường động học trong các chất điện phân có tính axit hỗn hợp nhưng đã ngăn chặn đáng kể sự phát triển của clo.Các tỷ lệ khác nhau của HWO:C76 đã được sử dụng để tối ưu hóa hơn nữa động học của các điện cực dựa trên HWO.Việc tăng C76 lên HWO giúp cải thiện động học chuyển điện tử của phản ứng VO2+/VO2+ trên điện cực biến đổi, trong đó HWO-50% C76 là vật liệu tốt nhất vì nó giảm điện trở chuyển điện tích và khử clo hơn nữa so với C76 và lắng đọng TCC..Điều này là do hiệu ứng hiệp đồng giữa lai hóa C=C sp2, các nhóm chức OH và W-OH.Tốc độ phân hủy sau chu kỳ lặp lại của HWO-50% C76 được phát hiện là 0,29 mV/chu kỳ, trong khi tốc độ phân hủy của UCC và TCC lần lượt là 0,33 mV/chu kỳ và 0,49 mV/chu kỳ, làm cho nó rất ổn định.trong chất điện phân axit hỗn hợp.Kết quả trình bày đã xác định thành công vật liệu điện cực hiệu suất cao cho phản ứng VO2+/VO2+ với động học nhanh và độ ổn định cao.Điều này sẽ làm tăng điện áp đầu ra, do đó tăng hiệu quả năng lượng của VRFB, do đó giảm chi phí thương mại hóa trong tương lai.
Các bộ dữ liệu được sử dụng và/hoặc phân tích trong nghiên cứu hiện tại có sẵn từ các tác giả tương ứng theo yêu cầu hợp lý.
Luderer G. và cộng sự.Ước tính năng lượng gió và năng lượng mặt trời trong các kịch bản năng lượng carbon thấp toàn cầu: Giới thiệu.tiết kiệm năng lượng.64, 542–551.https://doi.org/10.1016/j.eneco.2017.03.027 (2017).
Lee, HJ, Park, S. & Kim, H. Phân tích ảnh hưởng của kết tủa MnO2 đến hiệu suất của pin dòng oxi hóa khử vanadi/mangan. Lee, HJ, Park, S. & Kim, H. Phân tích ảnh hưởng của kết tủa MnO2 đến hiệu suất của pin dòng oxi hóa khử vanadi/mangan.Lee, HJ, Park, S. và Kim, H. Phân tích ảnh hưởng của sự lắng đọng MnO2 đến hiệu suất của pin dòng oxi hóa khử mangan vanadi. Lee, HJ, Park, S. & Kim, H. MnO2 沉淀对钒/锰氧化还原液流电池性能影响的分析。 Lee, HJ, Park, S. & Kim, H. MnO2Lee, HJ, Park, S. và Kim, H. Phân tích ảnh hưởng của sự lắng đọng MnO2 đến hiệu suất của pin dòng oxi hóa khử mangan vanadi.J. Điện hóa học.Đảng xã hội chủ nghĩa.165(5), A952-A956.https://doi.org/10.1149/2.0881805jes (2018).
Shah, AA, Tangirala, R., Singh, R., Wills, RGA & Walsh, FC Mô hình tế bào đơn vị động cho pin lưu lượng vanadi. Shah, AA, Tangirala, R., Singh, R., Wills, RGA & Walsh, FC Mô hình tế bào đơn vị động cho pin lưu lượng vanadi.Shah AA, Tangirala R, Singh R, Wills RG.và Walsh FK Một mô hình động của tế bào cơ bản của pin lưu lượng hoàn toàn vanadi. Shah, AA, Tangirala, R., Singh, R., Wills, RGA & Walsh, FC 全钒液流电池的动态单元电池模型。 Shah, AA, Tangirala, R., Singh, R., Di chúc, RGA & Walsh, FC.Shah AA, Tangirala R, Singh R, Wills RG.và pin động Mô hình Walsh FK của pin dòng oxi hóa khử hoàn toàn bằng vanadi.J. Điện hóa học.Đảng xã hội chủ nghĩa.158(6), A671.https://doi.org/10.1149/1.3561426 (2011).
Gandomi, YA, Aaron, DS, Zawodzinski, TA & Mench, MM Phép đo phân bố tiềm năng tại chỗ và mô hình đã được xác thực cho pin dòng oxi hóa khử hoàn toàn vanadi. Gandomi, YA, Aaron, DS, Zawodzinski, TA & Mench, MM Phép đo phân bố tiềm năng tại chỗ và mô hình đã được xác thực cho pin dòng oxi hóa khử hoàn toàn vanadi.Gandomi, Yu.A., Aaron, DS, Zavodzinski, TA và Mench, MM Phép đo phân bố tiềm năng tại chỗ và mô hình đã được xác thực cho tiềm năng oxy hóa khử của pin dòng vanadi. Gandomi, YA, Aaron, DS, Zawodzinski, TA & Mench, MM 全钒氧化还原液流电池的原位电位分布测量和验证模型。 Gandomi, YA, Aaron, DS, Zawodzinski, TA & Mench, MM.Mô hình đo lường và xác nhận phân bố tiềm năng oxi hóa khử 全vanadium oxidase.Gandomi, Yu.A., Aaron, DS, Zavodzinski, TA và Mench, MM Đo lường và xác minh mô hình phân phối tiềm năng tại chỗ cho pin oxi hóa khử dòng vanadi.J. Điện hóa học.Đảng xã hội chủ nghĩa.163(1), A5188-A5201.https://doi.org/10.1149/2.0211601jes (2016).
Tsushima, S. & Suzuki, T. Lập mô hình và mô phỏng pin dòng oxi hóa khử vanadi với trường dòng được kỹ thuật số hóa để tối ưu hóa kiến ​​trúc điện cực. Tsushima, S. & Suzuki, T. Lập mô hình và mô phỏng pin dòng oxi hóa khử vanadi với trường dòng được kỹ thuật số hóa để tối ưu hóa kiến ​​trúc điện cực.Tsushima, S. và Suzuki, T. Lập mô hình và mô phỏng pin vanadi oxi hóa khử dòng chảy với dòng chảy phân cực ngược để tối ưu hóa kiến ​​trúc điện cực. Tsushima, S. & Suzuki, T. 具有叉指流场的钒氧化还原液流电池的建模和仿真，用于优化电极结构。 Tsushima, S. & Suzuki, T. 叉指流场的叉指流场的Pin dòng chất lỏng giảm oxit vanadi的Mô hình hóa và mô phỏng để tối ưu hóa cấu trúc điện cực.Tsushima, S. và Suzuki, T. Lập mô hình và mô phỏng pin dòng oxi hóa khử vanadi với trường dòng ngược chiều để tối ưu hóa cấu trúc điện cực.J. Điện hóa học.Đảng xã hội chủ nghĩa.167(2), 020553. https://doi.org/10.1149/1945-7111/ab6dd0 (2020).
Sun, B. & Skyllas-Kazacos, M. Sửa đổi vật liệu điện cực than chì cho ứng dụng pin dòng oxi hóa khử vanadi—I. Sun, B. & Skyllas-Kazacos, M. Sửa đổi vật liệu điện cực than chì cho ứng dụng pin dòng oxi hóa khử vanadi—I.Sun, B. và Scyllas-Kazakos, M. Biến đổi vật liệu điện cực than chì cho pin oxi hóa khử vanadi – I. Sun, B. & Skyllas-Kazacos, M. 石墨电极材料在钒氧化还原液流电池应用中的改性——I。 Sun, B. & Skyllas-Kazacos, M. Sửa đổi vật liệu điện cực 石墨 trong ứng dụng pin chất lỏng khử oxy hóa vanadi——I.Sun, B. và Scylla-Kazakos, M. Biến đổi vật liệu điện cực than chì để sử dụng trong pin vanadi oxi hóa khử – I.xử lý nhiệt Electrochem.Acta 37(7), 1253-1260.https://doi.org/10.1016/0013-4686(92)85064-R (1992).
Liu, T., Li, X., Zhang, H. & Chen, J. Tiến bộ về vật liệu điện cực đối với pin dòng vanadi (VFB) với mật độ năng lượng được cải thiện. Liu, T., Li, X., Zhang, H. & Chen, J. Tiến bộ về vật liệu điện cực đối với pin dòng vanadi (VFB) với mật độ năng lượng được cải thiện.Liu, T., Li, X., Zhang, H. và Chen, J. Tiến bộ trong vật liệu điện cực cho pin dòng vanadi (VFB) với mật độ năng lượng được cải thiện. Liu, T., Li, X., Zhang, H. & Chen, J. 提高功率密度的钒液流电池(VFB) 电极材料的进展。 Liu, T., Li, X., Zhang, H. & Chen, J.Liu, T., Li, S., Zhang, H. và Chen, J. Những tiến bộ trong vật liệu điện cực cho pin dòng oxi hóa khử Vanadi (VFB) với mật độ công suất tăng.J. Hóa học Năng lượng.27(5), 1292-1303.https://doi.org/10.1016/j.jechem.2018.07.003 (2018).
Liu, QH và cộng sự.Tế bào dòng oxi hóa khử vanadi hiệu quả cao với cấu hình điện cực và lựa chọn màng được tối ưu hóa.J. Điện hóa học.Đảng xã hội chủ nghĩa.159(8), A1246-A1252.https://doi.org/10.1149/2.051208jes (2012).
Wei, G., Jia, C., Liu, J. & Yan, C. Carbon cảm thấy điện cực hỗn hợp chất xúc tác ống nano carbon được hỗ trợ cho ứng dụng pin dòng oxi hóa khử vanadi. Wei, G., Jia, C., Liu, J. & Yan, C. Carbon cảm thấy điện cực hỗn hợp chất xúc tác ống nano carbon được hỗ trợ cho ứng dụng pin dòng oxi hóa khử vanadi.Wei, G., Jia, Q., Liu, J. và Yang, K. Chất xúc tác điện cực tổng hợp dựa trên các ống nano carbon với chất nền nỉ carbon để sử dụng trong pin oxi hóa khử vanadi. Wei, G., Jia, C., Liu, J. & Yan, C. 用于钒氧化还原液流电池应用的碳毡负载碳纳米管催化剂复合电极。 Wei, G., Jia, C., Liu, J. & Yan, C. Điện cực hỗn hợp chất xúc tác ống nano carbon được nạp nỉ carbon cho ứng dụng pin dòng chất lỏng khử oxy hóa vanadi.Wei, G., Jia, Q., Liu, J. và Yang, K. Điện cực tổng hợp của chất xúc tác ống nano carbon với chất nền nỉ carbon để ứng dụng trong pin oxi hóa khử vanadi.J. Quyền lực.220, 185–192.https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2012.07.081 (2012).
Moon, S., Kwon, BW, Chung, Y. & Kwon, Y. Ảnh hưởng của bismuth sulfat phủ trên CNT đã axit hóa đối với hiệu suất của pin dòng oxi hóa khử vanadi. Moon, S., Kwon, BW, Chung, Y. & Kwon, Y. Ảnh hưởng của bismuth sulfat phủ trên CNT đã axit hóa đối với hiệu suất của pin dòng oxi hóa khử vanadi.Moon, S., Kwon, BW, Chang, Y. và Kwon, Y. Ảnh hưởng của bismuth sulfat lắng đọng trên các CNT bị oxy hóa đối với các đặc tính của pin oxy hóa khử vanadi chảy qua. Moon, S., Kwon, BW, Chung, Y. & Kwon, Y. 涂在酸化CNT 上的硫酸铋对钒氧化还原液流电池性能的影响。 Moon, S., Kwon, BW, Chung, Y. & Kwon, Y. Ảnh hưởng của bismuth sulfat đối với quá trình oxy hóa CNT đối với hiệu suất của dòng chất lỏng khử vanadi oxy hóa.Moon, S., Kwon, BW, Chang, Y. và Kwon, Y. Ảnh hưởng của bismuth sulfat lắng đọng trên các CNT bị oxy hóa đối với các đặc tính của pin oxy hóa khử vanadi chảy qua.J. Điện hóa học.Đảng xã hội chủ nghĩa.166(12), A2602.https://doi.org/10.1149/2.1181912jes (2019).
Hoàng R.-H.Các điện cực hoạt động được biến đổi bằng ống nano cacbon Pt/nhiều lớp cho pin lưu lượng oxi hóa khử vanadi.J. Điện hóa học.Đảng xã hội chủ nghĩa.159(10), A1579.https://doi.org/10.1149/2.003210jes (2012).
Kahn, S. và cộng sự.Pin dòng oxi hóa khử vanadi sử dụng chất điện phân được trang trí bằng các ống nano carbon pha tạp nitơ có nguồn gốc từ giàn giáo kim loại hữu cơ.J. Điện hóa học.Đảng xã hội chủ nghĩa.165(7), A1388.https://doi.org/10.1149/2.0621807jes (2018).
Khan, P. và cộng sự.Các tấm nano oxit graphene đóng vai trò là vật liệu hoạt động điện hóa tuyệt vời cho các cặp oxi hóa khử VO2+/ và V2+/V3+ trong pin dòng oxi hóa khử vanadi.Cacbon 49(2), 693–700.https://doi.org/10.1016/j.carbon.2010.10.022 (2011).
Gonzalez Z. và cộng sự.Hiệu suất điện hóa vượt trội của than chì được biến tính bằng graphene cho các ứng dụng pin oxi hóa khử vanadi.J. Quyền lực.338, 155-162.https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2016.10.069 (2017).
González, Z., Vizireanu, S., Dinescu, G., Blanco, C. & Santamaría, R. Các màng mỏng thành nano cacbon làm vật liệu điện cực cấu trúc nano trong pin dòng oxi hóa khử vanadi. González, Z., Vizireanu, S., Dinescu, G., Blanco, C. & Santamaría, R. Các màng mỏng thành nano cacbon làm vật liệu điện cực cấu trúc nano trong pin dòng oxi hóa khử vanadi.González Z., Vizirianu S., Dinescu G., Blanco C. và Santamaria R. Màng mỏng của các bức tường nano carbon làm vật liệu điện cực cấu trúc nano trong pin dòng oxi hóa khử vanadi.González Z., Vizirianu S., Dinescu G., Blanco S. và Santamaria R. Màng vách nano cacbon làm vật liệu điện cực cấu trúc nano trong pin dòng oxi hóa khử vanadi.Năng lượng Nano 1(6), 833–839.https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2012.07.003 (2012).
Opar, DO, Nankya, R., Lee, J. & Jung, H. Cảm thấy carbon biến đổi graphene ba chiều xốp cho pin dòng oxi hóa khử vanadi hiệu suất cao. Opar, DO, Nankya, R., Lee, J. & Jung, H. Cảm thấy carbon biến đổi graphene ba chiều xốp cho pin dòng oxi hóa khử vanadi hiệu suất cao.Opar DO, Nankya R., Lee J., và Yung H. Cảm thấy carbon mesopious biến đổi graphene ba chiều cho pin dòng oxi hóa khử vanadi hiệu suất cao. Opar, DO, Nankya, R., Lee, J. & Jung, H. 用于高性能钒氧化还原液流电池的三维介孔石墨烯改性碳毡。 Opar, DO, Nankya, R., Lee, J. & Jung, H.Opar DO, Nankya R., Lee J., và Yung H. Cảm thấy carbon mesopious biến đổi graphene ba chiều cho pin dòng oxi hóa khử vanadi hiệu suất cao.điện hóa.Đạo luật 330, 135276. https://doi.org/10.1016/j.electacta.2019.135276 (2020).